EN
(1)相關標準包括：
① AQG324-2021車規級半導體功率模塊測試認證規范
② AEC-Q101汽車級半導體分立器件應力測試
試驗項目:
高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、高溫高濕反向偏壓試驗（H3TRB）、間歇運行壽命（IOL）、功率和溫度循環:秒級、分鐘級（PCs/PCmin）等。
該類型集成的裝置主要包括環境試驗箱、輔助供電電源模塊、樣品供電電源模塊、驅動控制模塊、工控系統、數據采集裝置、工裝夾具等組成。公司結合目前SiC MOSFET器件的參數特點，提升設備的試驗能力。
SiCMOSFET器件以其耐高溫、耐高壓、高頻率、導通損耗小、低開關損耗和漏電流低等特性，能有效實現電力電子系統的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，適用于低損耗、高頻率和高溫的應用場合。
為了防止觸電的發生,請不要掀開儀器的蓋子。本儀器內部所有的零件絕對不需使用者維護。如果儀器有異常情況發生，請尋求我實驗室給予維護。
定期維護
交流電源供應器、輸入電源線各相關附件等每年至少要仔細檢驗和校驗一次，以保護使用者的安全和儀器的精確性。
了解更多關于產品信息，歡迎來電咨詢和到公司參觀訪問。
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